PN结的势垒区是指由P型半导体和N型半导体接触形成的边界区域。在这个区域内，由于两种半导体中载流子浓度和能级的不同，形成了内建电场。
具体来说，以下是一些关键点：
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1. 能带弯曲：在PN结形成时，P型半导体的价带（即电子能级较高的区域）相对于N型半导体的价带向下弯曲，而N型半导体的导带（即电子能级较低的区域）相对于P型半导体的导带向上弯曲。这种弯曲导致了势垒区的形成。
2. 内建电场：由于能带的弯曲，势垒区内部形成了一个内建电场，这个电场从N型半导体指向P型半导体。内建电场的作用是阻止电子和空穴的扩散。
3. 扩散和漂移：尽管内建电场阻止了电子和空穴的扩散，但在PN结形成后，由于热激发，电子和空穴仍然会在P型和N型半导体中产生。这些电子和空穴在电场的作用下，会从N型半导体向P型半导体漂移，形成电流。
4. 势垒高度：势垒高度是指PN结中内建电场对电子和空穴的阻挡能力。势垒高度与PN结的掺杂浓度和温度有关。
5. 势垒区宽度：势垒区的宽度与PN结的掺杂浓度和温度有关。掺杂浓度越高，温度越高，势垒区宽度越小。
PN结的势垒区是形成PN结时，由于能带弯曲和内建电场而形成的区域。这个区域对PN结的导电性能有着重要的影响。
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