pn结的内建电位差,也称为势垒高度(Built-in Potential),通常在0.2伏特(V)到0.7伏特(V)之间,这个值取决于半导体材料的类型。对于硅(Si)半导体,内建电位差大约是0.7V,而对于锗(Ge)半导体,内建电位差大约是0.3V。
这个内建电位差是由于pn结中电子和空穴的扩散运动导致的,当p型和n型半导体接触时,由于电子和空穴的扩散,会在交界处形成电荷分离区域,即耗尽区。在这个区域,正负电荷被分离,形成了一个内建电场,该电场阻止了进一步的扩散,从而在pn结的两边建立了内建电位差。
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