在PN结中,N区的电位高于P区的电位。这是因为N型半导体中掺杂了杂质原子,使得自由电子浓度较高,而P型半导体中掺杂了空穴浓度较高的杂质原子。当P型和N型半导体接触时,由于电子和空穴的扩散运动,会形成一个内建电场,这个电场会阻止进一步的扩散,并形成PN结。
由于N区电子浓度高,电子会向P区扩散,而P区空穴浓度高,空穴会向N区扩散。这个过程会使得P区带正电,N区带负电,从而在PN结两侧形成电势差。因此,N区的电位比P区的电位低,而P区的电位高于N区。这个电势差通常被称为内建电势或势垒。
在PN结中,N区的电位高于P区的电位。这是因为N型半导体中掺杂了杂质原子,使得自由电子浓度较高,而P型半导体中掺杂了空穴浓度较高的杂质原子。当P型和N型半导体接触时,由于电子和空穴的扩散运动,会形成一个内建电场,这个电场会阻止进一步的扩散,并形成PN结。
由于N区电子浓度高,电子会向P区扩散,而P区空穴浓度高,空穴会向N区扩散。这个过程会使得P区带正电,N区带负电,从而在PN结两侧形成电势差。因此,N区的电位比P区的电位低,而P区的电位高于N区。这个电势差通常被称为内建电势或势垒。
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