在PN结中,N区的电位高于P区的电位。这是因为在PN结形成过程中,N型半导体中的自由电子和P型半导体中的空穴发生扩散,自由电子进入P区,空穴进入N区。当扩散达到动态平衡时,由于电子和空穴的迁移率不同,以及它们在半导体中的电离能不同,导致在PN结附近形成一个内建电场,这个电场使得P区的空穴和N区的电子无法继续扩散,从而形成了空间电荷区。
在这个空间电荷区,P区的正离子和N区的负离子被固定,形成了内建电场,使得N区的电位高于P区的电位。这个电位差称为内建电势或势垒。因此,在PN结中,N区的电位高于P区的电位。
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