掩膜（Mask）在半导体制造工艺中，特别是在光刻（Photolithography）过程中扮演着至关重要的角色。掩膜的原理如下：
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1. 掩膜设计：根据半导体芯片的设计，设计出掩膜的图案。这个图案决定了电路的形状和位置。
2. 掩膜材料：掩膜通常由透明的石英玻璃制成，上面涂有一层或多层感光材料（光刻胶）。
3. 光刻过程：
将掩膜放置在硅片上，确保掩膜的图案与硅片上的特定区域对齐。
使用紫外线或其他波长的光源照射硅片和掩膜，光线通过掩膜上的透明部分照射到硅片上。
4. 感光材料反应：
光照部分的光刻胶发生化学反应，变得不溶于显影液。
未被光照的部分在显影过程中被洗掉。
5. 蚀刻：
经过显影步骤后，硅片上的光刻胶被去除，露出硅片上未被光刻胶覆盖的部分。
这些部分在随后的蚀刻步骤中被去除，形成与掩膜图案相对应的电路图案。
6. 重复步骤：上述步骤可能需要重复多次，以制造出复杂的电路结构。
掩膜的原理基于光刻技术，它通过精确控制光线的照射，使得感光材料在硅片上形成特定的图案，从而指导后续的蚀刻步骤，最终形成半导体芯片上的电路图案。这个过程对于制造高精度、高密度的集成电路至关重要。
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